Evaluation and Modeling of Voltage Stress-Induced Hot Carrier Effects in High-Speed SiGe HBTs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Evaluation and Modeling of Voltage Stress-Induced Hot Carrier Effects in High-Speed SiGe HBTs

G. Sasso
  • Fonction : Auteur
J. Boeck
  • Fonction : Auteur
V. d'Alessandro
  • Fonction : Auteur
K. Aufinger
  • Fonction : Auteur
N. Rinaldi
  • Fonction : Auteur
T. Zimmer
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01134190 , version 1 (23-03-2015)

Identifiants

Citer

G. Sasso, Maneux C., J. Boeck, V. d'Alessandro, K. Aufinger, et al.. Evaluation and Modeling of Voltage Stress-Induced Hot Carrier Effects in High-Speed SiGe HBTs. Compound Semiconductor Integrated Circuit Symposium (CSICs), 2014 IEEE, Oct 2014, La Jolla, United States. ⟨10.1109/CSICS.2014.6978552⟩. ⟨hal-01134190⟩
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