Article Dans Une Revue
Defect and Diffusion Forum
Année : 2015
Hal Cinam : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01130906
Soumis le : jeudi 12 mars 2015-15:12:34
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01130906 , version 1
Citer
P. Ganster, A. Saul, G. Tréglia. Atomistic Model for Ge Condensation under SiGe Oxidation. Defect and Diffusion Forum, 2015, 363, pp.210-216. ⟨hal-01130906⟩
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