Amélioration des performances électriques des transistors en couches minces (TFTs) à base de l'alliage Si Ge - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Amélioration des performances électriques des transistors en couches minces (TFTs) à base de l'alliage Si Ge

Domaines

Electronique Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Katell Kervella  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01121816

Soumis le : lundi 2 mars 2015-16:22:06

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:53:00

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01121816 , version 1 (02-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121816 , version 1

Citer

Abdelkrim Fedala, Khaled Belarbi, Khalid Kandoussi, Rabah Cherfi, Nathalie . Coulon, et al.. Amélioration des performances électriques des transistors en couches minces (TFTs) à base de l'alliage Si Ge. 9ème Congrès National de la physique et de ses applications, Oct 2010, Ouargla, Algérie. ⟨hal-01121816⟩

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