Silicon Germanium alloy (Si1-xGex) with x<7% as active layer in thin film transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2015
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01121731 , version 1 (02-03-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01121731 , version 1

Citer

Abdelkrim Fedala, Nathalie . Coulon, Claude Simon, Tayeb Mohammed-Brahim. Silicon Germanium alloy (Si1-xGex) with x<7% as active layer in thin film transistors. Conference on Thin Film Transistors ITC 2015, Feb 2015, Rennes, France. pp.99-100. ⟨hal-01121731⟩
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