AFM study and optical properties of GaAsN/GaAs epilayers grown by MOVPE - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2000

AFM study and optical properties of GaAsN/GaAs epilayers grown by MOVPE

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Physique [physics]

Laurent Auvray  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01118274

Soumis le : mercredi 18 février 2015-16:54:31

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-01118274 , version 1 (18-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01118274 , version 1

Citer

Laurent Auvray, H. Dumont, J. Dazord, Y. Monteil, Jean Bouix, et al.. AFM study and optical properties of GaAsN/GaAs epilayers grown by MOVPE. Journal of Crystal Growth, 2000, 221, pp.475-480. ⟨hal-01118274⟩

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