MOVPE growth of GaAsN : surface study by AFM and optical properties - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Materials Science in Semiconductor Processing Année : 2000

MOVPE growth of GaAsN : surface study by AFM and optical properties

Domaines

Physique [physics] Chimie

Laurent Auvray  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01118272

Soumis le : mercredi 18 février 2015-16:52:07

Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12

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Dates et versions

hal-01118272 , version 1 (18-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01118272 , version 1

Citer

Laurent Auvray, H. Dumont, J. Dazord, Y. Monteil, Jean Bouix, et al.. MOVPE growth of GaAsN : surface study by AFM and optical properties. Materials Science in Semiconductor Processing, 2000, 3, pp.505-509. ⟨hal-01118272⟩

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