Communication Dans Un Congrès
Année : 2012
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https://hal.science/hal-01116084
Soumis le : jeudi 12 février 2015-15:03:51
Dernière modification le : jeudi 11 avril 2024-13:08:12
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01116084 , version 1
Citer
S. Berckmans, Laurent Auvray, Gabriel Ferro, F. Cauwet, V. Souliere, et al.. Epitaxial growth of 3C-SiC onto silicon substrate by VLS transport using CVD-grown 3C-SiC seeding layer. HeteroSiC–WASMPE, Jun 2011, Tours, France. ⟨hal-01116084⟩
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