Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/Si - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/Si

Olivier Durand
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Samy Almosni
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Yanping Wang
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Charles Cornet
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Antoine Létoublon
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Christophe Levallois
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Laurent Pedesseau
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Alain Rolland
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
Jacky Even
Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON
CV
Nicolas Bertru
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Alain Le Corre
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Anne Ponchet
Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales
CV
Pierre Râle
  • Fonction : Auteur
Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque
Laurent Lombez
Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque
CV
Jean Francois Guillemoles
Institut de Recherche et Développement sur l'Energie Photovoltaïque
CV

Domaines

Optique / photonique Matériaux Energie électrique

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Soumis le : mardi 10 février 2015-17:45:24

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

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Dates et versions

hal-01115312 , version 1 (10-02-2015)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01115312 , version 1

Citer

Olivier Durand, Samy Almosni, Yanping Wang, Charles Cornet, Antoine Létoublon, et al.. Epitaxie cohérente de composés GaP et GaAsPN à azote dilué sur substrats de Si pour l’élaboration de cellules PV tandem III-V/Si. Matériaux 2014, Nov 2014, Montpellier, France. ⟨hal-01115312⟩

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