Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature Variation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature Variation

Mukherjee Chhandak
Sebastien Fregonese
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Thomas Zimmer
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860621
NANOELECTRONIQUE/MODEL
H. Happy
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
David Mele
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
Cristell Maneux
NANOELECTRONIQUE/MODEL

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01090864

Soumis le : jeudi 4 décembre 2014-11:52:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01090864 , version 1 (04-12-2014)

Identifiants

Citer

Mukherjee Chhandak, Sebastien Fregonese, Thomas Zimmer, H. Happy, David Mele, et al.. Qualitative Assessment of Epitaxial Graphene FETs on SiC Substrates via Pulsed Measurements and Temperature Variation. Solid State Device Research Conference (ESSDERC), 2014, 44th European, Sep 2014, Venise, Italy. ⟨10.1109/ESSDERC.2014.6948821⟩. ⟨hal-01090864⟩

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