Résumé – Dans cet article, nous étudions les différents principes pour concevoir une nouvelle génération de redresseur Schottky de puissance en Nitrure de Gallium (GaN). Nous avons arrêté notre choix sur une structure de diode Schottky pseudo-verticale en GaN sur un substrat en silicium, ayant une tenue en tension de 600V. Pour cela, nous avons identifié les étapes critiques du procédé de fabrication. Une grande partie des travaux de recherche consiste à optimiser cette structure. Pour cela, nous avons étudié l'influence des paramètres technologiques et géométriques sur le compromis « tenue en tension / résistance passante spécifique ». Nous avons également étudié l'impact des protections périphériques afin d'assurer la tenue en tension du composant. Finalement, les résultats de simulation sont comparés avec les mesures expérimentales des structures de test afin de valider les paramètres des modèles de simulation.