Etude sur les transistors MOSFETs en Carbure de Silicium - Potentiel d'utilisation dans les Applications Hautes Températures
Résumé
Ce papier présente les performances des MOSFETs en carbure de silicium pour des applications haute température. Les caractérisations statiques et dynamiques ont été réalisées avec un packaging adéquat pour des températures variant de 25°C à 250°C. Un banc de test de vieillissement a été conçu pour évaluer la durée de vie des composants en commutation sur une charge résistive avec T>250°C.
Domaines
Energie électrique
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