Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p : réalisation de phases MAX - Archive ouverte HAL Access content directly
Conference Papers Year : 2014

Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p : réalisation de phases MAX

Abstract

Dans le but d'améliorer les contacts électriques sur 4H-SiC de type p, nous explorons la possibilité d'utiliser la phase MAX Ti3SiC2, Dans ce but, un film mince de 200 nm d'un alliage Ti20Al80 a été déposé par co-pulvérisation ou dépôt multicouche sur SiC-4H (0001) 8°off et recuit entre 900°C à 1100°C. En jouant sur les conditions de recuit, nous avons réussi à stabiliser la phase MAX Ti3SiC2 recherchée. De plus, les analyses montrent que la couche se forme de manière épitaxiale par rapport au substrat. Des structures TLM (Transfer Length Method) ont été fabriquées sur des couches epitaxiales de SiC-4H de type p avec des concentrations de l'ordre de 2.10^19 at/cm^3, afin d'évaluer la résistance spécifique de contact du Ti3SiC2 obtenu.

Domains

Electric power
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Dates and versions

hal-01065327 , version 1 (18-09-2014)

Identifiers

  • HAL Id : hal-01065327 , version 1

Cite

Tony Abi Tannous, Maher Soueidan, Gabriel Ferro, Berangere Toury-Pierre, Mihai Lazar, et al.. Nouveaux contacts électriques sur SiC-4H de type p : réalisation de phases MAX. Symposium de Génie Electrique (SGE'14), Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065327⟩
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