L'évaluation des pertes par commutation est une étape essentielle de la conception des convertisseurs statiques. Cependant, les pertes en commutation ne sont pas toujours correctement renseignées dans les notices des fabricants. La première manière de retrouver ces pertes est d'extrapoler les informations des spécifications techniques des fabricants par simulation ou analytiquement, la deuxième est de réaliser des mesures de pertes en commutation avec le composant. Nous présenterons ainsi une méthode de mesure de pertes par commutation non intrusive pour des composants rapides, tels que les composants 'grand gap' et les MOSFETs silicium. Nous développerons par la suite, un modèle comportemental d'un interrupteur de puissance de type MOSFET grâce à une routine de simulation automatisée en vue de l'estimation des pertes et les relevés expérimentaux seront présentés. Ces estimations sont ensuite utilisées pour dimensionner divers convertisseurs. Finalement, différentes topologies de convertisseurs statiques à base de composants GaN sont présentées et testées pour différentes applications.