Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout "

Dans ce travail, nous proposons des solutions de durcissement contre les radiations afin d'augmenter les zones de sécurité de fonctionnement (SOA) des composants de puissance comme les IGBT. Nous présentons certaines modifications, réalisées au niveau design, permettant la désensibilisation contre les phénomènes de déclenchement liés aux structures parasites, afin d'améliorer la tenue aux radiations des composants de puissance à grilles isolées.

Mots clés

radiations, ions lourds, IGBT, protection Silicium

Domaines

Energie électrique

Fichier principal

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https://hal.science/hal-01065194

Soumis le : jeudi 18 septembre 2014-09:50:01

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:22

Archivage à long terme le : vendredi 19 décembre 2014-11:11:27

Dates et versions

hal-01065194 , version 1 (18-09-2014)

Identifiants

HAL Id : hal-01065194 , version 1

Citer

Moustafa Zerarka, Patrick Austin, Frédéric Morancho, Karine Isoird, Josiane Tasselli, et al.. Durcissement des IGBT planar contre le déclenchement de " Single-Event Burnout ". Symposium de Génie Électrique 2014, Jul 2014, Cachan, France. ⟨hal-01065194⟩

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