Fully etched apodized grating coupler on the SOI platform with −0.58 dB coupling efficiency - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Optics Letters Année : 2014

Fully etched apodized grating coupler on the SOI platform with −0.58 dB coupling efficiency

Résumé

We design and fabricate an ultrahigh coupling efficiency (CE) fully etched apodized grating coupler on the silicon-on-insulator (SOI) platform using subwavelength photonic crystals and bonded aluminum mirror. Fabrication error sensitivity and coupling angle dependence are experimentally investigated. A record ultrahigh CE of −0.58 dB with a 3 dB bandwidth of 71 nm and low back reflection are demonstrated.

Domaines

Optique / photonique Optique [physics.optics]
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Soumis le : samedi 6 septembre 2014-08:55:25

Dernière modification le : mercredi 4 décembre 2024-14:44:02

Archivage à long terme le : dimanche 7 décembre 2014-10:11:03

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hal-01061469 , version 1 (06-09-2014)

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Citer

Yunhong Ding, Christophe Peucheret, Haiyan Ou, Kresten Yvind. Fully etched apodized grating coupler on the SOI platform with −0.58 dB coupling efficiency. Optics Letters, 2014, 39 (18), pp.5348-5350. ⟨10.1364/OL.39.005348⟩. ⟨hal-01061469⟩

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