Threshold sensor for high-doses of radiation - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Threshold sensor for high-doses of radiation

Résumé

MEMS threshold sensor for high-doses of radiation (above 10 kGy) has been design and development. In the sensor, small portion of high density polyethylene (HDPE) is trapped inside silicon-glass MEMS hermetically sealed structure. When the sensor is exposed to ionizing radiation, HDPE degrades and releases atomic hydrogen. The resulting pressure of hydrogen destroys thin silicon membrane of the sensor. The proper parameters of the silicon membrane of the sensor have been selected by simulations in ANSYS software

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique
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https://hal.science/hal-01024223

Soumis le : mardi 15 juillet 2014-17:17:41

Dernière modification le : lundi 20 novembre 2023-11:44:22

Archivage à long terme le : lundi 24 novembre 2014-13:21:00

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Dates et versions

hal-01024223 , version 1 (15-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01024223 , version 1

Citer

Izabela Augustyniak, Pawel Knapkiewicz, Jan Dziuban, Michal Olszacki, A. Tchkalov, et al.. Threshold sensor for high-doses of radiation. Int. Conf. On Mixed design of Integrated Circuits and Systems (MIXDES), Jun 2014, Lublin, Poland. pp.MIXDES Proceedings. ⟨hal-01024223⟩

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