Improvement of Stacked High Power Laser Diodes bars by Individual Emitter Characterization - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Improvement of Stacked High Power Laser Diodes bars by Individual Emitter Characterization

Domaines

Electronique

Isabelle Bord  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01022734

Soumis le : jeudi 10 juillet 2014-16:48:38

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01022734 , version 1 (10-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01022734 , version 1

Citer

O. Rehioui, L. Bechou, Y. Ousten, A. Kohl, T. Fillardet. Improvement of Stacked High Power Laser Diodes bars by Individual Emitter Characterization. HEC-DPSSL 6th Workshop, High Energy Class Diode Pumped Solid State Lasers (organized by LULI and IOGS), Sep 2010, Versailles, France. ⟨hal-01022734⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS IMS-BORDEAUX IMS-BORDEAUX-FUSION
51 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More