Fabrication et caractérisation DC de composant HEMTs In(Ga)AlN/GaN sur silicium
Résumé
Cet article présente un procédé de fabrication de transistors HEMTs InAlN/GaN et AlGaN/GaN, en lithographie optique, sur substrat Si(111). Les mesures de Hall et TLM ont permis d'évaluer la résistance de contact, la résistance carrée, la mobilité et la densité de porteurs. La caractérisation DC, réalisée sur les transistors à double grille de dimensions (LG*WG) = (3*100 μm²), a permis de démontrer une densité de courant de drain maximale de 312 mA/mm et une transconductance extrinsèque maximale de 190.2 mS/mm. Les mesures AFM permettent de suivre l'évolution de la rugosité RMS après gravure de la couche de protection SiN sur AlGaN/GaN et après dépôt de l'oxyde Al2O3.