Impact du recuit d'activation sur la passivation par Al2O3 du silicium type p Cz
Résumé
L'Al2O3 déposé par ALD est un diélectrique bien connu pour la passivation de surface du silicium type-p. Cependant, une étape de recuit post-dépôt est nécessaire pour activer la passivation. Grâce à des mesures de densités de charges effectives, de défauts d'interface, temps de vie de porteurs de charges, XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy), SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry), sur le même échantillon, une description duprocessus d'activation est donnée. La présence d'hydrogène et d'oxygène est reliée à l'évolution des paramètres électriques pour un recuit de 30min à 450°C pour du silicium type p Cz.