Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires

Résumé

Ce travail porte sur l'étude de la croissance localisée d'InAs sur InAs déposé par épitaxie par jets moléculaires (EJM). Nous présentons la caractérisation de la morphologie des surfaces par microscopie électronique à balayage (MEB).
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01018426 , version 1 (04-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01018426 , version 1

Citer

Maria Fahed, L. Desplanque, Xavier Wallart. Croissance localisée d'InAs par épitaxie par jets moléculaires. 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 3 p. ⟨hal-01018426⟩
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