Communication Dans Un Congrès Année : 2014

Caractérisation en bruit hyperfréquences de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C avancés jusque 170 GHz

Résumé

Les mesures de bruit hyperfréquences sont essentielles pour établir ou conforter un modèle utilisé en vue du design de circuits RF ou millimétriques. Ce papier expose une méthodologie de mesures de bruit, avec des résultats sur transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C jusqu'à 170 GHz, et ses principales difficultés au-delà de 100 GHz.

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01018377 , version 1 (04-07-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01018377 , version 1

Citer

Marina Deng, Sylvie Lepilliet. Caractérisation en bruit hyperfréquences de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C avancés jusque 170 GHz. 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014, 2014, Villeneuve d'Ascq, France. 4 p. ⟨hal-01018377⟩
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