Caractérisation en bruit hyperfréquences de transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C avancés jusque 170 GHz
Résumé
Les mesures de bruit hyperfréquences sont essentielles pour établir ou conforter un modèle utilisé en vue du design de circuits RF ou millimétriques. Ce papier expose une méthodologie de mesures de bruit, avec des résultats sur transistors bipolaires à hétérojonction SiGe:C jusqu'à 170 GHz, et ses principales difficultés au-delà de 100 GHz.