Article Dans Une Revue
Journal of Crystal Growth
Année : 2011
Catherine Bougerol : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-01005934
Soumis le : vendredi 13 juin 2014-14:36:18
Dernière modification le : lundi 9 décembre 2024-03:24:10
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-01005934 , version 1
- DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2011.08.015
Citer
Rafael Mata, Karine Hestroffer, J. Budagosky, A. Cros, Catherine Bougerol, et al.. Nucleation of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy: The effect of temperature. Journal of Crystal Growth, 2011, 334 (1), pp.177-180. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2011.08.015⟩. ⟨hal-01005934⟩
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