Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT on Accelerated Aging Tests under Thermal and Electrical stresses - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2011

Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT on Accelerated Aging Tests under Thermal and Electrical stresses

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

sebastien fregonese  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-01002459

Soumis le : vendredi 6 juin 2014-10:59:20

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-13:14:27

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Dates et versions

hal-01002459 , version 1 (06-06-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01002459 , version 1

Citer

G. A. Koné, B. Grandchamp, C. Hainaut, F. Marc, C. Maneux, et al.. Reliability of submicron InGaAs/InP DHBT on Accelerated Aging Tests under Thermal and Electrical stresses. 22th European Symposium on the RELIABILITY OF ELECTRON DEVICES, FAILURE PHYSICS AND ANALYSIS, Oct 2011, bordeaux, France. pp.1-4. ⟨hal-01002459⟩

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