Influence of device architecture on junction leakage in low-temperature process FDSOI MOSFETs
B. Sklenard
(1)
,
P. Batude
,
Q. Rafhay
(1)
,
I. Martin-Bragado
,
C.Q. Xu
,
B. Previtali
,
B. Colombeau
,
F.A. Khaja
,
S. Cristoloveanu
(1)
,
P. Rivallin
,
C. Tavernier
,
T. Poiroux
(2)
P. Batude
- Fonction : Auteur
Q. Rafhay
- Fonction : Auteur
- PersonId : 170409
- IdHAL : quentin-rafhay
- ORCID : 0000-0003-2797-0106
- IdRef : 140482199
I. Martin-Bragado
- Fonction : Auteur
C.Q. Xu
- Fonction : Auteur
B. Previtali
- Fonction : Auteur
B. Colombeau
- Fonction : Auteur
F.A. Khaja
- Fonction : Auteur
S. Cristoloveanu
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172108
- IdHAL : sorin-cristoloveanu
- ORCID : 0000-0002-3576-5586
- IdRef : 030493188
P. Rivallin
- Fonction : Auteur
C. Tavernier
- Fonction : Auteur