Article Dans Une Revue
Journ. Appl. Phys.
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00994579
Soumis le : mercredi 21 mai 2014-16:54:22
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-20:55:04
Citer
M. Daanoune, A. Diab, S. Sirajeddine, A. Kaminski-Cachopo, I. Ionica, et al.. Photo-pseudo-metal-oxide-semiconductor field effect transistor for characterization of surface recombination in silicon on insulator materials. Journ. Appl. Phys., 2013, 113 (Issue 18), pp.183702:1-5. ⟨10.1063/1.4804064⟩. ⟨hal-00994579⟩
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