Article Dans Une Revue
ECS Journal of Solid State Science and Technology
Année : 2013
Brigitte Rasolofoniaina : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00991667
Soumis le : jeudi 15 mai 2014-16:48:19
Dernière modification le : mercredi 11 septembre 2024-10:52:38
Citer
C. Fernandez, N. Rodriguez, A. Ohata, F. Gamiz, S. Cristoloveanu. Effective capacitance area for pseudo-MOSFET characterization of bare SOI wafers by split-C(V) measurements. ECS Journal of Solid State Science and Technology, 2013, 2 (12), pp.P529-P533. ⟨10.1149/2.010312jss⟩. ⟨hal-00991667⟩
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