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Communication Dans Un Congrès Année : 2010

Simulation du mouvement des parois de domaines dans BaTiO3

Mostafa Ragheb
  • Fonction : Auteur
Hartmut Wolfgang Gundel
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 918203
Raphaël Renoud

Résumé

Les matériaux ferroélectriques présentent un intérêt croissant en électronique de part leur propriété d'accordabilité, permettant de ce fait de réaliser des dispositifs intelligents. Cette propriété est liée à la variation de la densité des parois de domaine lorsque l'on modifie l'intensité du champ électrique appliqué. Si l'on s'intéresse au cas d'un monocristal, celui-ci minimise son énergie en s'organisant en domaines de polarisation, notamment pour réduire le champ dépolarisant généré par la présence d'interfaces. Sous l'action d'un champ électrique externe, ces parois se déplacent, modifiant le nombre et la forme des domaines, pour atteindre un nouvel état d'équilibre. Dans cette étude, nous proposons une simulation qui permet de décrire le déplacement des parois d'un ferroélectrique de type displacif sous l'action d'un champ électrique sinusoïdal. Le but est alors de mieux cerner les paramètres clefs intervenant sur la propriété d'accordabilité. Nous appliquons la simulation au cas de BaTiO3.

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Matériaux
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Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)
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Dates et versions

hal-00991528 , version 1 (03-12-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00991528 , version 1

Citer

Mostafa Ragheb, Caroline Borderon, Hartmut Wolfgang Gundel, Raphaël Renoud. Simulation du mouvement des parois de domaines dans BaTiO3. MATERIAUX 2010, Oct 2010, Nantes, France. pp.1-6. ⟨hal-00991528⟩
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