Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC
Résumé
L'objectif de ce papier est l'analyse des courants de fuite de grille et de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC en vue de la localisation de leur origine physique et d'une amélioration des procédés de fabrication. Cette étude est basée sur l'analyse comparative de composants dit " fuiteux " et " non fuiteux " à travers l'évolution de leurs caractéristiques électriques statiques en température et en mode pulsé pour différentier les mécanismes de transport relatifs au contact Schottky et au canal.