Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC

Résumé

L'objectif de ce papier est l'analyse des courants de fuite de grille et de drain de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC en vue de la localisation de leur origine physique et d'une amélioration des procédés de fabrication. Cette étude est basée sur l'analyse comparative de composants dit " fuiteux " et " non fuiteux " à travers l'évolution de leurs caractéristiques électriques statiques en température et en mode pulsé pour différentier les mécanismes de transport relatifs au contact Schottky et au canal.

Domaines

Electronique
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00987763 , version 1 (06-05-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00987763 , version 1

Citer

Mehdi Rzin, Nathalie Labat, Nathalie Malbert, Arnaud Curutchet, Laurent Brunel, et al.. Analyse électrique des courants de fuite de HEMTs AlGaN/GaN sur SiC. Journées Nationales Microondes (JNM) 2013, May 2013, Paris, France. pp.Rzin. ⟨hal-00987763⟩
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