Residual and intentional n-type doping of ZnO thin films grown by metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire and ZnO substrates - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Journal of Applied Physics Année : 2014

Residual and intentional n-type doping of ZnO thin films grown by metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire and ZnO substrates

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Julien Pernot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00984425

Soumis le : lundi 28 avril 2014-13:54:33

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:50:11

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Dates et versions

hal-00984425 , version 1 (28-04-2014)

Identifiants

Citer

Stéphane Brochen, M. Lafossas, Ivan-Christophe Robin, Pierre Ferret, Frédérique Gemain, et al.. Residual and intentional n-type doping of ZnO thin films grown by metal-organic vapor phase epitaxy on sapphire and ZnO substrates. Journal of Applied Physics, 2014, 115 (11), pp.113508. ⟨10.1063/1.4868591⟩. ⟨hal-00984425⟩

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