Communication Dans Un Congrès
Année : 2014
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https://hal.science/hal-00976633
Soumis le : jeudi 10 avril 2014-11:01:42
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00976633 , version 1
Citer
Nicolas Herbecq, Isabelle Roch-Jeune, F Medjdoub. Pushing the limits of GaN-on-silicon device breakdown voltage for high power applications. CMOS Emerging Technologies Research Symposium, 2014, Grenoble, France. ⟨hal-00976633⟩
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