Modelling of the quantum transport in strained Si/SiGe/Si superlattices based p-i-n infrared photodetectors for 1.3-1.55 μm optical communication - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Modelling and Numerical Simulation of Material Science Année : 2014

Modelling of the quantum transport in strained Si/SiGe/Si superlattices based p-i-n infrared photodetectors for 1.3-1.55 μm optical communication

N. Sfina
  • Fonction : Auteur
N. Yahyaoui
  • Fonction : Auteur
M. Said
  • Fonction : Auteur
J.-L. Lazzari
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV

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https://hal.science/hal-00975045

Soumis le : lundi 7 avril 2014-17:44:04

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-08:37:47

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hal-00975045 , version 1 (07-04-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00975045 , version 1

Citer

N. Sfina, N. Yahyaoui, M. Said, J.-L. Lazzari. Modelling of the quantum transport in strained Si/SiGe/Si superlattices based p-i-n infrared photodetectors for 1.3-1.55 μm optical communication. Modelling and Numerical Simulation of Material Science, 2014, 4, pp.37-52. ⟨hal-00975045⟩

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