GaSb VCSEL with III-As metamorphic confinement layer grown by molecular beam epitaxy - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

GaSb VCSEL with III-As metamorphic confinement layer grown by molecular beam epitaxy

Domaines

Optique / photonique

Christophe Levallois  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00955685

Soumis le : mercredi 5 mars 2014-09:24:23

Dernière modification le : lundi 16 septembre 2024-17:52:04

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00955685 , version 1 (05-03-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00955685 , version 1

Citer

Laurent Cerutti, Youness Laaroussi, Dorian Sanchez, Christophe Levallois, Cyril Paranthoën, et al.. GaSb VCSEL with III-As metamorphic confinement layer grown by molecular beam epitaxy. euro-MBE conference, Mar 2013, Levi, Finland. pp.240-241. ⟨hal-00955685⟩

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