Interface analysis of PEALD TaCN deposited on HfO2 using Angle Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy for advancved gate last CMOS transistors - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2012

Interface analysis of PEALD TaCN deposited on HfO2 using Angle Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy for advancved gate last CMOS transistors

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00949999

Soumis le : jeudi 20 février 2014-15:20:12

Dernière modification le : mardi 3 septembre 2024-11:16:05

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00949999 , version 1 (20-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00949999 , version 1

Citer

F. Piallat, V. Beugin, R. Gassilloud, L. Dussault, B. Pelissier, et al.. Interface analysis of PEALD TaCN deposited on HfO2 using Angle Resolved X-Ray Photoelectron Spectroscopy for advancved gate last CMOS transistors. AVS 2012, 2012, United States. ⟨hal-00949999⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CEA UGA CNRS FMNT LTM NANOMATERIALS DRT LETI CEA-GRE
69 Consultations
0 Téléchargements

Partager

More