Plasma etching challenges of new materials involved in gate stack patterning for sub-45 nm technological nodes - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Plasma etching challenges of new materials involved in gate stack patterning for sub-45 nm technological nodes

Marielle Clot  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00944953

Soumis le : mardi 11 février 2014-14:42:04

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-09:22:48

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Dates et versions

hal-00944953 , version 1 (11-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944953 , version 1

Citer

O. Joubert, A. Le Gouil, R. Ramos, M. Helot, G. Cunge, et al.. Plasma etching challenges of new materials involved in gate stack patterning for sub-45 nm technological nodes. 209th ECS meeting, Denver, May 2006, Denver, United States. ⟨hal-00944953⟩

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