Physical and chemical reactions in Cl2 based etching plasmas: influence of plasma-surface interactions - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2008

Physical and chemical reactions in Cl2 based etching plasmas: influence of plasma-surface interactions

G. Cunge
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
N. Sadeghi
  • Fonction : Auteur
D. Vempaire
  • Fonction : Auteur
Laboratoire des technologies de la microélectronique
M. Touzeau
  • Fonction : Auteur
R. Ramos
CV

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https://hal.science/hal-00944941

Soumis le : mardi 11 février 2014-14:35:59

Dernière modification le : mercredi 18 décembre 2024-10:10:17

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00944941 , version 1 (11-02-2014)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00944941 , version 1

Citer

G. Cunge, N. Sadeghi, D. Vempaire, M. Touzeau, R. Ramos. Physical and chemical reactions in Cl2 based etching plasmas: influence of plasma-surface interactions. 9th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and Technology (APCPST) and 21st Symposium on Plasma Science for Materials, Oct 2008, Huangshan, China. ⟨hal-00944941⟩

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