Analyse quantitative de la perfection cristalline de nanocouches épitaxiales GaP/Si - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Analyse quantitative de la perfection cristalline de nanocouches épitaxiales GaP/Si

Nathalie Boudet
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 937286
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00918790 , version 1 (15-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00918790 , version 1

Citer

Antoine Létoublon, Thanh Tra Nguyen, Yanping Wang, Samy Almosni, Charles Cornet, et al.. Analyse quantitative de la perfection cristalline de nanocouches épitaxiales GaP/Si. Xème colloque rayons X et matière, Nov 2013, Nantes, France. ⟨hal-00918790⟩
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