Optimisation des propriétés structurale de l'interface GaP/Si et des propriétés électroniques de cellules solaires GaAsPN/GaP pour la fabrication de cellule tandem - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Optimisation des propriétés structurale de l'interface GaP/Si et des propriétés électroniques de cellules solaires GaAsPN/GaP pour la fabrication de cellule tandem

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00918758 , version 1 (14-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00918758 , version 1

Citer

Samy Almosni, Cédric Robert Robert, Charles Cornet, Thanh Tra Nguyen, Yanping Wang, et al.. Optimisation des propriétés structurale de l'interface GaP/Si et des propriétés électroniques de cellules solaires GaAsPN/GaP pour la fabrication de cellule tandem. Journées nationales du Photovoltaïque JNPV 2013, Dec 2013, Dourdan, France. ⟨hal-00918758⟩
277 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More