Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics

Omar Abbes
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 997109
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
A. Portavoce
  • Fonction : Auteur
V. Le Thanh
  • Fonction : Auteur
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
Christophe Girardeaux
L. Michez
Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille
CV

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https://hal.science/hal-00914754

Soumis le : vendredi 6 décembre 2013-08:46:21

Dernière modification le : mercredi 24 avril 2024-11:28:54

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Dates et versions

hal-00914754 , version 1 (06-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00914754 , version 1

Citer

Omar Abbes, A. Portavoce, V. Le Thanh, Christophe Girardeaux, L. Michez. Phase formation during Mn thin film reaction with Ge: Self-aligned germanide process for spintronics. Applied Physics Letters, 2013, 103, pp.172405. ⟨hal-00914754⟩

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