Electrical properties of high value doped polysilicon-based resistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid State Phenomena Année : 2003
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00913032 , version 1 (03-12-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00913032 , version 1

Citer

H. Mahfoz-Kotb, Anne-Claire Salaün, Tayeb Mohammed-Brahim, F. Bendriaa, France Le Bihan, et al.. Electrical properties of high value doped polysilicon-based resistors. Solid State Phenomena, 2003, 93, pp.453-458. ⟨hal-00913032⟩
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