Article Dans Une Revue
Solid State Phenomena
Année : 2003
Katell Kervella : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00913032
Soumis le : mardi 3 décembre 2013-10:23:50
Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:57
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00913032 , version 1
Citer
H. Mahfoz-Kotb, Anne-Claire Salaün, Tayeb Mohammed-Brahim, F. Bendriaa, France Le Bihan, et al.. Electrical properties of high value doped polysilicon-based resistors. Solid State Phenomena, 2003, 93, pp.453-458. ⟨hal-00913032⟩
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