Article Dans Une Revue
Micro and Nano Letters
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00909847
Soumis le : mercredi 27 novembre 2013-08:23:51
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
M.F. Mohd Razip Wee, Arash Dehzangi, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, Burhanuddin Yeop Majlis. Interfacial X-ray photospectrometry study of In0.53Ga0.47As under different passivation treatments for metal oxide semiconductor field effect transistor devices. Micro and Nano Letters, 2013, 8, pp.836-840. ⟨10.1049/mnl.2013.0560⟩. ⟨hal-00909847⟩
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