Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
Valérie Abel : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00909066
Soumis le : lundi 25 novembre 2013-17:02:27
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00909066 , version 1
Citer
Sourabh Khandelwal, Chandan Yadav, Shantanu Agnihotri, Yogesh Singh Chauhan, Arnaud Curutchet, et al.. A Robust Surface-Potential-Based Compact Model for GaN HEMT IC Design. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60 (10), pp.3216-3222. ⟨hal-00909066⟩
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