Scalable Electrical Compact Modeling for Graphene FET Transistors

Sébastien Fregonese; Maura Magallo; Cristell Maneux; H. Happy; Thomas Zimmer

doi:10.1109/TNANO.2013.2257832

Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Nanotechnology Année : 2013

Scalable Electrical Compact Modeling for Graphene FET Transistors

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Sébastien Fregonese

Fonction : Auteur
PersonId : 16107
IdHAL : sebastien-fregonese
ORCID : 0000-0002-1829-2633
IdRef : 097656631

Nanoélectronique/MODEL

Maura Magallo

Fonction : Auteur

Cristell Maneux

Fonction : Auteur
PersonId : 15639
IdHAL : cristell-maneux
ORCID : 0000-0001-9125-5372
IdRef : 135213584

NANOELECTRONIQUE/MODEL

H. Happy

Fonction : Auteur
PersonId : 748086
IdHAL : henri-happy
ORCID : 0000-0003-2065-8080
IdRef : 103891455

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

Thomas Zimmer

Fonction : Auteur
PersonId : 860621

NANOELECTRONIQUE/MODEL

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Valérie Abel : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00906225

Soumis le : mardi 19 novembre 2013-14:30:45

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00906225 , version 1 (19-11-2013)

Identifiants

HAL Id : hal-00906225 , version 1
DOI : 10.1109/TNANO.2013.2257832

Citer

Sébastien Fregonese, Maura Magallo, Cristell Maneux, H. Happy, Thomas Zimmer. Scalable Electrical Compact Modeling for Graphene FET Transistors. IEEE Transactions on Nanotechnology, 2013, 12 (4), pp.539-546. ⟨10.1109/TNANO.2013.2257832⟩. ⟨hal-00906225⟩

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