Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs

Mario Weib
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Kumar Sahoo Amit
  • Fonction : Auteur
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Cristian Raya
  • Fonction : Auteur
Marco Santorelli
  • Fonction : Auteur
Sébastien Fregonese
Nanoélectronique/MODEL
Cristell Maneux
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
Thomas Zimmer
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 860621
NANOELECTRONIQUE/MODEL

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Valérie Abel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00905765

Soumis le : lundi 18 novembre 2013-16:25:29

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00905765 , version 1 (18-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00905765 , version 1

Citer

Mario Weib, Kumar Sahoo Amit, Cristian Raya, Marco Santorelli, Sébastien Fregonese, et al.. Characterization of intra device mutual thermal coupling in multi finger SiGe:C HBTs. EDSSC 2013, Jun 2013, Hong Kong, China. ⟨hal-00905765⟩

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