A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Valérie Abel  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00905673

Soumis le : lundi 18 novembre 2013-15:24:30

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00905673 , version 1 (18-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00905673 , version 1

Citer

Kumar Sahoo Amit, Sebastien Fregonese, Mario Weib, Cristell Maneux, Thomas Zimmer. A Scalable Model for Temperature Dependent Thermal Resistance of SiGe HBTs. IEEE Bipolar / BiCMOS Circuits and Technology Meeting, Sep 2013, Bordeaux, France. ⟨hal-00905673⟩

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