Magnetoresistive structures and magnetic tunnel junctions with magnetoelastic materials on ferroelectric relaxors for magnetoelectric memories - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

Magnetoresistive structures and magnetic tunnel junctions with magnetoelastic materials on ferroelectric relaxors for magnetoelectric memories

Yannick Dusch
M. Zaknoune
Y. Deblock
  • Fonction : Auteur
A. Stolz
S. Giordano
  • Fonction : Auteur
Vladimir Preobrazhensky
Philippe Pernod
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00903353 , version 1 (12-11-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00903353 , version 1

Citer

Nicolas Tiercelin, Yannick Dusch, M. Zaknoune, Y. Deblock, A. Stolz, et al.. Magnetoresistive structures and magnetic tunnel junctions with magnetoelastic materials on ferroelectric relaxors for magnetoelectric memories. International French-US Workshop : Toward Low Power Spintronic Devices, 2013, La Jolla, CA, United States. ⟨hal-00903353⟩
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