AlGaN/GaN heterostructures with very-thin buffer on Si (111) for NEMS applications : electrical and mechanical study - Archive ouverte HAL
Communication Dans Un Congrès Année : 2013

AlGaN/GaN heterostructures with very-thin buffer on Si (111) for NEMS applications : electrical and mechanical study

P. Leclaire
  • Fonction : Auteur
Y. Cordier
Sébastien Chenot
  • Fonction : Auteur
D. Theron
M. Faucher
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00877763

Soumis le : mardi 29 octobre 2013-10:54:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00877763 , version 1 (29-10-2013)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00877763 , version 1

Citer

P. Leclaire, Y. Cordier, Sébastien Chenot, D. Theron, M. Faucher. AlGaN/GaN heterostructures with very-thin buffer on Si (111) for NEMS applications : electrical and mechanical study. 22nd European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2013, 2013, Glasgow, Scotland, United Kingdom. 2 p. ⟨hal-00877763⟩

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