Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr 0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr 0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology

K. Li
  • Fonction : Auteur
X.L. Dong
  • Fonction : Auteur
J. Costecalde
  • Fonction : Auteur
N. Sama
T. Li
  • Fonction : Auteur
G. Du
  • Fonction : Auteur
Y. Chen
  • Fonction : Auteur
G.S. Wang
  • Fonction : Auteur
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Dates et versions

hal-00877663 , version 1 (27-05-2022)

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Citer

K. Li, Denis Remiens, X.L. Dong, J. Costecalde, N. Sama, et al.. Low-temperature crystallization of high performance Pb0.4Sr 0.6TiO3 films compatible with the current silicon-based microelectronic technology. Applied Physics Letters, 2013, 102, 212901, 4 p. ⟨10.1063/1.4807792⟩. ⟨hal-00877663⟩
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