Antimony mediated control of misfit dislocation and strain at the highly lattice mismatched GaSb/GaAs interface - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue ACS Applied Materials & Interfaces Année : 2013

Antimony mediated control of misfit dislocation and strain at the highly lattice mismatched GaSb/GaAs interface

Y. Wang
  • Fonction : Auteur
P. Ruterana
  • Fonction : Auteur
Jie Chen
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 761941
  • IdRef : 200253832
S. Kret
  • Fonction : Auteur
S. El Kazzi
  • Fonction : Auteur
C. Genevois
  • Fonction : Auteur
L. Desplanque
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00877634 , version 1 (29-10-2013)

Identifiants

Citer

Y. Wang, P. Ruterana, Jie Chen, S. Kret, S. El Kazzi, et al.. Antimony mediated control of misfit dislocation and strain at the highly lattice mismatched GaSb/GaAs interface. ACS Applied Materials & Interfaces, 2013, 5, pp.9760-9764. ⟨10.1021/am4028907⟩. ⟨hal-00877634⟩
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