Article Dans Une Revue
ACS Applied Materials & Interfaces
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00877634
Soumis le : mardi 29 octobre 2013-08:59:33
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
Y. Wang, P. Ruterana, Jie Chen, S. Kret, S. El Kazzi, et al.. Antimony mediated control of misfit dislocation and strain at the highly lattice mismatched GaSb/GaAs interface. ACS Applied Materials & Interfaces, 2013, 5, pp.9760-9764. ⟨10.1021/am4028907⟩. ⟨hal-00877634⟩
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