Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Electron Devices
Année : 2013
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https://hal.science/hal-00872023
Soumis le : vendredi 11 octobre 2013-10:43:47
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
S. Khandelwal, C. Yadav, S. Agnihotri, Y.S. Chauhan, A. Curutchet, et al.. Robust surface-potential-based compact model for GaN HEMT IC design. IEEE Transactions on Electron Devices, 2013, 60, pp.3216-3222. ⟨10.1109/TED.2013.2265320⟩. ⟨hal-00872023⟩
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