Electrical characterization of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate under mechanical bending conditions - HAL Accéder directement au contenu
Article dans une revue Applied Physics Letters Année : 2013

Electrical characterization of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate under mechanical bending conditions

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hal-00871898, version 1 (27-05-2022)

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J. Shi, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, S. Bollaert. Electrical characterization of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate under mechanical bending conditions. Applied Physics Letters, 2013, 102, pp.243503-1-4. ⟨10.1063/1.4811787⟩. ⟨hal-00871898⟩
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Dernière date de mise à jour le 26/06/2024
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