Electrical characterization of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate under mechanical bending conditions - Archive ouverte HAL
Article Dans Une Revue Applied Physics Letters Année : 2013

Electrical characterization of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate under mechanical bending conditions

J. Shi
  • Fonction : Auteur
Nicolas Wichmann
Yannick Roelens
S. Bollaert
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN

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Sciences de l'ingénieur [physics]
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Citer

J. Shi, Nicolas Wichmann, Yannick Roelens, S. Bollaert. Electrical characterization of In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As high electron mobility transistors on plastic flexible substrate under mechanical bending conditions. Applied Physics Letters, 2013, 102, pp.243503-1-4. ⟨10.1063/1.4811787⟩. ⟨hal-00871898⟩

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